Analysys Mason最近的一份报告显示，中国正以惊人的速度朝着实现其半导体自给率达到70％的目标迈进，这使其有望在1-4年内成为整个市场的技术领导者。

中国在实现半导体代工厂现代化方面取得了稳步的进展。中芯国际目前正在根据14纳米制造工艺生产芯片，并逐步提高28纳米芯片的产量。

Analysys Mason研究总监Caroline Gabriel指出，后者特别重要，因为目前全球使用的大多数先进芯片都是使用28纳米或者40纳米工艺制造的。

Caroline Gabriel说，中国面临的半导体挑战不是技术性的。包括海思在内的几家中国芯片制造商已经设计出了领先的芯片。相反，中国面临最大的挑战是芯片制造，特别是规模化制造。记者了解到Caroline Gabriel预计中芯国际和华虹半导体将在今年实现28纳米工艺技术的自给自足---现在已经大规模实施，中国有望在今年启动其首台国产28纳米光刻机。

此外，中芯国际宣布了一种新的鳍式场效应（FinFET）工艺，其比采用老化的28纳米工艺的芯片功耗降低了57％、芯片尺寸减小了55％。“这一制程的大规模成功对于在未来几年实现中国的半导体领先至关重要---这些芯片有望达到与台积电等竞争对手的当前7纳米处理器相似的性能水平。”Caroline Gabriel说到。

中国在内存技术、人工智能（AI）和物联网领域领导地位方面已取得重大进展。报告发现，在这三大领域，中国距离成为市场领导者尚需12到18个月的时间。

中国最有实力的领域是云数据中心处理器、加速器和5G SoC。Caroline Gabriel预测，中国在这些领域要成为市场领导者还需要3到4年的时间。

尽管海思等公司进行了大量投资，但Caroline Gabriel认为，中国仍然依赖于国内尚无的先进制造工艺。同样，她指出，中国公司在数据中心处理器和加速器领域取得了重大进展，但英伟达（Nvidia）即将进行的对Arm的收购可能会破坏事情。

为减轻这种威胁，她认为，中国可能会完全采用一种新的半导体设计方法，以“超越”现有技术。她写道：“对开放式RISC-V处理器架构的强大支持就是一个例子。”

RISC-V已在中国公司中得到广泛采用，阿里巴巴、华为和中兴通讯已经在研究。RISC-V的一个优势是它的开放源代码。

展望未来，Caroline Gabriel预计中国将在一年之内实现某些半导体市场的自给自足，并在四年之内成为市场领导者。

当然，恢复国际合作可以进一步加速中国的半导体发展。根据Caroline Gabriel的说法，这将使世界各地的产业都能利用中国的创新优势，并将使得中国公司进入新市场。