7月6日消息，Raytheon Technologies正与GlobalFoundries合作开发用于6G射频的硅基氮化镓（GaN）工艺芯片。

硅基氮化镓是射频和电源应用越来越流行的技术，Raytheon Technologies认为这是6G射频和网络基础设施芯片的关键所在。这些对于Raytheon Technologies的子公司来说至关重要，其中包括柯林斯航空航天公司、发动机制造商普惠公司、Raytheon航天公司等。

氮化镓工艺技术将可提高射频性能，同时保持生产和运营成本，实现6G射频工作频率标准的功率和功率效率水平。

“我们与Raytheon Technologies的合作是确保关键未来6G应用解决方案的开发和制造能力的重要一步。”GlobalFoundries首席执行官Tom Caulfield表示。“这种伙伴关系将使一切从支持人工智能的手机和无人驾驶汽车到智能电网等成为可能。”

“Raytheon Technologies是推进射频砷化镓技术的先驱之一。”Raytheon Technologies首席技术官 Mark Russell说。“我们与Globalfoundries的合作表明了我们有着共同目标---以可承受的成本向我们的客户提供高性能通信技术。”